華光光電申請基於光子晶體結構的915nm單模激光器外延片及其製備方法專利，避免傳統包層結構高鋁組分

金融界2025年8月1日消息，國家知識產權局信息顯示，山東華光光電子股份有限公司申請一項名爲“一種基於光子晶體結構的915nm單模激光器外延片及其製備方法”的專利，公開號CN120414268A，申請日期爲2025年04月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種基於光子晶體結構的915nm單模激光器外延片及其製備方法，屬於光電子技術領域，包括GaAs襯底，在GaAs襯底上由下至上依次包括：GaAs緩衝層，N限制層，N波導層，N側勢壘層，量子阱層，P側勢壘層，P內波導層，P外波導層，過渡層，GaAs歐姆接觸層；採用光子晶體結構作爲P側外波導層，避免傳統包層結構高鋁組分的同時還可以保證對於光場的限制。使用GaAsP/InGaAs/GaAsP應變補償量子阱，P側使用光子晶體週期結構代替限制層，將其作爲外波導結構。

天眼查資料顯示，山東華光光電子股份有限公司，成立於1999年，位於濟南市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本6264.6666萬人民幣。通過天眼查大數據分析，山東華光光電子股份有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目472次，財產線索方面有商標信息8條，專利信息733條，此外企業還擁有行政許可14個。

本文源自：金融界

作者：情報員