盤古半導體申請可高散熱性能的扇出型封裝結構及封裝方法專利，顯著提高產品的散熱性能

金融界2025年7月10日消息，國家知識產權局信息顯示，江蘇盤古半導體科技股份有限公司申請一項名爲“一種可高散熱性能的扇出型封裝結構及封裝方法”的專利，公開號CN120280414A，申請日期爲2025年04月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種可高散熱性能的扇出型封裝結構，其大幅提高封裝體中硅的體積佔比，同時結構側露硅，可顯著提高產品的散熱性能，且成品強度更高，可靠性更好。其包括：至少一芯片；若干假芯片機構，每組假芯片機構其包括硅層、表面絕緣層；塑封層；混合層，其由若干RDL和PA排布形成；以及I/O導出結構；塑封層的表面排布有芯片和假芯片機構，塑封層將芯片和假芯片機構塑封連成一體，芯片位於若干假芯片機構所環繞形成的中心位置區域，位於外圍佈置的假芯片機構的至少一立面外露設置，假芯片機構的表面絕緣層和芯片的表層平齊佈置，混合層覆蓋於假芯片機構的表面絕緣層、芯片的表層、以及塑封層的對應表面的表層。

天眼查資料顯示，江蘇盤古半導體科技股份有限公司，成立於2023年，位於南京市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本10403.2萬人民幣。通過天眼查大數據分析，江蘇盤古半導體科技股份有限公司參與招投標項目18次，財產線索方面有商標信息2條，專利信息20條，此外企業還擁有行政許可5個。

本文源自：金融界

作者：情報員