盤古半導體申請可高散熱性能的扇出型封裝結構及封裝方法專利,顯著提高產品的散熱性能
金融界2025年7月10日消息,國家知識產權局信息顯示,江蘇盤古半導體科技股份有限公司申請一項名爲“一種可高散熱性能的扇出型封裝結構及封裝方法”的專利,公開號CN120280414A,申請日期爲2025年04月。
專利摘要顯示,本發明公開了一種可高散熱性能的扇出型封裝結構,其大幅提高封裝體中硅的體積佔比,同時結構側露硅,可顯著提高產品的散熱性能,且成品強度更高,可靠性更好。其包括:至少一芯片;若干假芯片機構,每組假芯片機構其包括硅層、表面絕緣層;塑封層;混合層,其由若干RDL和PA排布形成;以及I/O導出結構;塑封層的表面排布有芯片和假芯片機構,塑封層將芯片和假芯片機構塑封連成一體,芯片位於若干假芯片機構所環繞形成的中心位置區域,位於外圍佈置的假芯片機構的至少一立面外露設置,假芯片機構的表面絕緣層和芯片的表層平齊佈置,混合層覆蓋於假芯片機構的表面絕緣層、芯片的表層、以及塑封層的對應表面的表層。
天眼查資料顯示,江蘇盤古半導體科技股份有限公司,成立於2023年,位於南京市,是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本10403.2萬人民幣。通過天眼查大數據分析,江蘇盤古半導體科技股份有限公司參與招投標項目18次,財產線索方面有商標信息2條,專利信息20條,此外企業還擁有行政許可5個。
本文源自:金融界
作者:情報員