無錫華潤上華科技申請SOI半導體結構及其製造方法專利，可爲不同耐壓的器件單獨配置合適厚度的掩埋介質層和半導體層，優化器件參數和集成電路性能

金融界2025年7月1日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫華潤上華科技有限公司申請一項名爲“SOI半導體結構及其製造方法”的專利，公開號CN120239328A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種SOI半導體結構及其製造方法，所述方法包括：獲取SOI晶圓；所述SOI晶圓包括從下到上疊設的底部半導體層、掩埋介質層及頂部半導體層；去除所述SOI晶圓的第一區域的頂部半導體層，並減薄所述第一區域的掩埋介質層；在第一區域被減薄的所述掩埋介質層上形成第一半導體層。本發明的掩埋介質層的厚度及頂部半導體層的厚度匹配所要製造的芯片中最高壓的器件進行設計，並在低壓器件所在的第一區域，去除頂部半導體層並將掩埋介質層減薄至適配低壓器件的厚度，然後在第一區域形成厚度適配低壓器件的第一半導體層。因此可爲不同耐壓的器件單獨配置合適厚度的掩埋介質層和半導體層，優化器件參數和集成電路性能。

天眼查資料顯示，無錫華潤上華科技有限公司，成立於2002年，位於無錫市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本66801.147萬美元。通過天眼查大數據分析，無錫華潤上華科技有限公司參與招投標項目4033次，財產線索方面有商標信息5條，專利信息1454條，此外企業還擁有行政許可120個。

本文源自：金融界

作者：情報員