華虹宏力和華虹無錫申請一種閃存器件及其製備方法專利，保證溝槽隔離的絕緣特性

金融界2025年6月5日消息，國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司、華虹半導體（無錫）有限公司申請一項名爲“一種閃存器件及其製備方法”的專利，公開號CN120091562A，申請日期爲2025年02月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種閃存器件及其製備方法，應用於半導體制備技術領域。本發明中，一方面，通過在形成柵極氧化層前，先對形成有溝槽隔離的基底進行熱處理，以利用熱處理過程中可以改變溝槽隔離中絕緣材質的緻密度的特性，避免溝槽隔離在後續溼法清洗中發生側掏，並增加了溝槽隔離上字線與控制柵層之間的距離，改善了控制柵層和字線距離太近而發生漏電的問題，即保證了溝槽隔離的絕緣特性。另一方面，通過在形成柵極氧化層前，將對基底的預清洗工藝由一步分解成兩步和對溝槽隔離的厚度實時在線監控相結合，以利用溝槽隔離實時在線監控的實際厚度來調整兩次清洗工藝的工藝參數，以避免溼法清洗工藝對溝槽隔離造成側掏，同時將有源區上的殘留物去除。

天眼查資料顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司，成立於2013年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本2046092.7759萬人民幣。通過天眼查大數據分析，上海華虹宏力半導體制造有限公司共對外投資了7家企業，參與招投標項目880次，財產線索方面有商標信息39條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可429個。

華虹半導體（無錫）有限公司，成立於2017年，位於無錫市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本253685.180069萬美元。通過天眼查大數據分析，華虹半導體（無錫）有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目2918次，專利信息1663條，此外企業還擁有行政許可117個。

本文源自：金融界

作者：情報員