昌德微電子申請超大電流平面IGBT芯片的封裝方法專利，增強超大電流IGBT芯片的封裝性能與使用壽命

金融界2025年8月12日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫昌德微電子股份有限公司申請一項名爲“一種超大電流平面IGBT芯片的封裝方法”的專利，公開號CN120473395A，申請日期爲2025年05月。

專利摘要顯示，本發明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種超大電流平面IGBT芯片的封裝方法。其技術方案以下步驟：步驟1，提供一種熱膨脹接近接近硅材料的高熱導率銅鉬合金基板；步驟2，將IGBT芯片通過焊焊工藝中的銀燒結技術鍵合至所述基板的上表面；步驟3，採用多點均壓佈線結構實現多個芯片的並聯分佈，其中每一芯片路徑都進行熱阻與電阻耦合設計；步驟4，封裝過程中引入基於位置相關變係數的熱阻方法；步驟5，通過等離子體處理對芯片表面進行鈍化處理，並使用低應力模塑封裝材料完成結構固化。本發明通過銅鉬基板與均流封裝結構的協同設計，實現了熱應力緩釋、電流均衡及界面可靠性的提升，增強了超大電流平面IGBT芯片的封裝性能與使用壽命。

天眼查資料顯示，無錫昌德微電子股份有限公司，成立於1995年，位於無錫市，是一家以從事批發業爲主的企業。企業註冊資本2000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，無錫昌德微電子股份有限公司共對外投資了3家企業，參與招投標項目2次，財產線索方面有商標信息2條，專利信息59條，此外企業還擁有行政許可8個。

本文源自：金融界

作者：情報員