英特爾申請用於高級集成電路結構製造的有源柵極上方接觸結構專利，所屬集成電路結構製造領域

金融界2025年1月31日消息，國家知識產權局信息顯示，英特爾公司申請一項名爲“用於高級集成電路結構製造的有源柵極上方接觸結構”的專利，公開號 CN 119384040 A，申請日期爲2018年10月。

專利摘要顯示，本公開的實施例屬於高級集成電路結構製造的領域，並且具體而言屬於10納米節點和更小的集成電路結構製造和所得結構的領域。在示例中，一種集成電路結構包括鰭狀物之上的第一和第二柵極電介質層。第一和第二柵極電極分別在第一和第二柵極電介質層之上，第一和第二柵極電極都具有帶頂表面的絕緣帽。第一電介質間隔體與第一柵極電極的第一側相鄰。溝槽接觸結構在與第一和第二電介質間隔體相鄰的半導體源極或漏極區之上，溝槽接觸結構包括導電結構上的絕緣帽，溝槽接觸結構的絕緣帽具有與第一和第二柵極電極的絕緣帽大體上共面的頂表面。

本文源自：金融界

作者：情報員