曦智科技申請光子集成電路芯片製造相關專利 可實現特定器件結構厚度差異調整
金融界2025年7月1日消息,國家知識產權局信息顯示,上海曦智科技有限公司申請一項名爲“光子集成電路芯片的製造方法及光子集成電路芯片”的專利,公開號CN120233486A,申請日期爲2023年12月。
專利摘要顯示,本發明的實施例公開了一種光子集成電路芯片的製造方法及光子集成電路芯片,上述光子集成電路芯片的製造方法包括:提供襯底,襯底包括埋氧層和第一硅層,利用第一硅層形成第一器件結構和第二器件結構;在第一硅層上形成多晶硅層,多晶硅層覆蓋於第一器件結構和第二器件結構的表面;刻蝕多晶硅層,以分別形成對應第一器件結構的第三器件結構和對應第二器件結構的第四器件結構,其中,第三器件結構和第四器件結構的厚度相同;去除第三器件結構的一部分,使得第三器件結構的厚度小於第四器件結構的厚度。
天眼查資料顯示,上海曦智科技有限公司,成立於2018年,位於上海市,是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本7582.962萬人民幣。通過天眼查大數據分析,上海曦智科技有限公司共對外投資了4家企業,參與招投標項目41次,財產線索方面有商標信息74條,專利信息71條,此外企業還擁有行政許可7個。
本文源自:金融界
作者:情報員