英特爾申請具有通過硅鍺蝕刻停止部實現的直接背面源極或漏極接觸部的集成電路結構專利，描述具有通過硅鍺蝕刻停止部實現的直接背面源極或漏極接觸部的集成電路結構

金融界2025年8月23日消息，國家知識產權局信息顯示，英特爾公司申請一項名爲“具有通過硅鍺蝕刻停止部實現的直接背面源極或漏極接觸部的集成電路結構”的專利，公開號CN120529637A，申請日期爲2025年01月。

專利摘要顯示，描述了具有通過硅鍺蝕刻停止部實現的直接背面源極或漏極接觸部的集成電路結構。在示例中，集成電路結構包括第一和第二多個水平堆疊的納米線或鰭狀物以及第一和第二柵極堆疊體。外延源極或漏極結構在第一多個水平堆疊的納米線或鰭狀物與第二多個水平堆疊的納米線或鰭狀物之間，外延源極或漏極結構在對應的導電背面接觸部之上並且電耦合到對應的導電背面接觸部，該導電背面接觸部橫向延伸超過外延源極或漏極結構而不接觸第一柵極堆疊體或第二柵極堆疊體。

本文源自：金融界

作者：情報員