南京第三代半導體技術創新中心取得高可靠性超級結MOSFET及其製造方法專利
金融界2024年11月25日消息,國家知識產權局信息顯示,南京第三代半導體技術創新中心有限公司取得一項名爲“高可靠性超級結MOSFET及其製造方法”的專利,授權公告號CN 118610264 B,申請日期爲2024年8月。
本文源自:金融界
作者:情報員
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