海納百川》臺積電氮化鎵不玩了 美中競逐白熱化（廖明輝）

全球第三類半導體產業正陷入史上最嚴重動盪期。圖／本報資料照片

外媒報導指出，全球第三類半導體產業正陷入史上最嚴重動盪期，美、中、臺三地競逐態勢出現明顯變化。全球碳化矽（SiC）龍頭的美國Wolfspeed傳出即將聲請破產重整之際，臺灣晶圓代工龍頭臺積電亦傳出將解散氮化鎵（GaN）研發團隊。臺積電此舉主因與中國近年大舉投入第三類半導體領域，導致市場競爭劇烈有關。特別是中國氮化鎵龍頭英諾賽科報價幾乎低於臺積電生產成本，使臺積電無法展現成本優勢，最終不得不戰略性撤出GaN市場，將資源轉向其他高附加價值領域。

必須注意的是，儘管第三類半導體（如碳化矽與氮化鎵）快速崛起，但並非將完全取代傳統第一類與第二類半導體材料，而是三者在未來市場各自發揮所長，形成共存且分工明確局面。第一類半導體，如矽（Si）與鍺（Ge），用途廣泛但主要應用在邏輯晶片領域；第二類半導體，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），擅長處理高頻訊號，廣泛用於手機功率放大器與光纖通訊；而第三類半導體，如碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），則因承受高電壓、高頻通訊、高溫運作能力優異，廣泛應用於電動車、5G基地臺、衛星通訊與風力發電等高端領域，市場潛力巨大。

在這波動盪中，Wolfspeed破產重整事件引發全球關注。該公司計劃透過破產重整方案，大幅削減債務並重建資本結構。導致Wolfspeed重整原因，除了電動車市場需求放緩外，原本期待美國政府的晶片法案高額補助款，因未能達成條件延後，財務狀況因而惡化。此外，中國廠商如天科合達等快速崛起，市場競爭激烈，SiC價格下滑，加劇營運壓力，最終逼迫Wolfspeed採取主動重整策略。然而，卻對全球SiC供應鏈產生劇烈震盪，主要合作伙伴如日本瑞薩電子（Renesas Electronics）將面臨約新臺幣509億元鉅額損失，全球SiC供應穩定性亦將受考驗。

另一方面，中國的氮化鎵龍頭英諾賽科正以驚人的成本競爭力，改變全球市場遊戲規則。透過多年來自建8吋矽基氮化鎵平臺與垂直整合模式，大幅降低生產成本，成功壓低產品報價致其他廠商難以匹敵程度，迫使包括臺積電、英飛凌等國際大廠紛紛重新審視自身策略。此一低價攻勢不僅使中國GaN產品進入全球電動車、消費性電子甚至國防工業，更可能與歐洲、東南亞業者合作，擴大國際市場影響力，改變全球氮化鎵市場版圖。

此外，氮化鎵的技術價值早已超越商業範疇，成爲美中科技戰的關鍵材料。相比傳統砷化鎵，氮化鎵具備更高功率、更高頻率與耐高溫等特性，廣泛應用於軍用雷達、衛星通訊與6G技術。中國早已將氮化鎵戰略性部署於衛星、無人機等軍用領域，透過嚴格出口管制與技術控制，形成完整軍民兩用產業鏈，甚至採取不惜成本策略推動技術突破。美國若無法在材料、製程與供應鏈整合上重建領先優勢，未來可能在通訊科技與軍事應用中逐漸失去主導權。

綜上所述，第三類半導體不僅是商業與技術競爭，更是美中科技戰略競逐核心。未來幾年內，市場將繼續見證此領域激烈的廝殺與重組。誰能掌握材料、製程、成本控制與市場，就能決定未來半導體產業的領導地位與全球科技戰略走向。

（作者爲中華經濟研究院輔佐研究員）

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