格科半導體申請處理晶圓表面的工藝方法專利，減少晶圓表面缺陷

金融界2025年2月22日消息，國家知識產權局信息顯示，格科半導體（上海）有限公司申請一項名爲“處理晶圓表面的工藝方法”的專利，公開號CN 119495566 A，申請日期爲2023年8月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種處理晶圓表面的工藝方法，包括：對所述晶圓進行減薄；在所述晶圓進行減薄工藝後，通過以下至少一種化學處理工藝對所述晶圓表面進行處理，以減少後續溼法刻蝕工藝出現的晶圓表面缺陷；所述至少一種化學處理工藝包括：工藝一：通過稀氫氟酸去除晶圓表面的氧化層；工藝二：通過水中充入氧或臭氧氧化修復晶圓表面；工藝三：通過硫酸和雙氧水去除晶圓表面殘留物；工藝四：通過氨水、過氧化氫和水去除晶圓表面顆粒及改變晶圓表面性質；對所述晶圓進行溼法刻蝕。通過在晶圓進行減薄後，進行一系列化學工藝的處理，可以在晶圓進行溼法刻蝕後減少晶圓表面缺陷。

天眼查資料顯示，格科半導體（上海）有限公司，成立於2020年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本450000萬人民幣，實繳資本407578.68萬人民幣。通過天眼查大數據分析，格科半導體（上海）有限公司參與招投標項目20次，專利信息61條，此外企業還擁有行政許可79個。

本文源自：金融界

作者：情報員