杭州中欣晶圓申請優化硅片背封工藝方法專利，達到優化硅片背封的效果

金融界2025年4月21日消息，國家知識產權局信息顯示，杭州中欣晶圓半導體股份有限公司申請一項名爲“優化硅片背封的工藝方法”的專利，公開號CN119843241A，申請日期爲2024年12月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種優化硅片背封的工藝方法，所屬硅片加工技術領域，包括如下操作步驟：第一步：硅片成膜前進行洗淨過程的溫度控制。第二步：硅片進入石英舟進行LPCVD成膜時，LPCVD工藝成膜溫度爲650℃調整至665℃。第三步：提高溫度後，硅烷熱分解反應完全，膜厚以及均一性會發生變化，需要調整硅烷和氮氣的進氣流量。通過提高成膜溫度的控制，使硅烷分解更完全，多晶生長更完全，減小膜內應力的存在，達到優化硅片背封的效果。

天眼查資料顯示，杭州中欣晶圓半導體股份有限公司，成立於2017年，位於杭州市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本503225.6776萬人民幣。通過天眼查大數據分析，杭州中欣晶圓半導體股份有限公司共對外投資了6家企業，參與招投標項目38次，財產線索方面有商標信息5條，專利信息329條，此外企業還擁有行政許可17個。

本文源自：金融界

作者：情報員