中環領先申請一種硅片拋光工藝專利，提高了拋光墊的潔淨度

金融界2025年8月15日消息，國家知識產權局信息顯示，中環領先半導體科技股份有限公司申請一項名爲“一種硅片拋光工藝”的專利，公開號CN120480672A，申請日期爲2025年05月。

專利摘要顯示，本發明提供一種硅片拋光工藝，包括粗拋、中拋和精拋，完成所述精拋後，沿拋光墊的徑向進行分區域刷洗，所述拋光墊中部區域的刷洗速率大於所述拋光墊外側區域和內側區域的刷洗速率。本發明的有益效果是一次精拋的拋光液採用中拋和二次精拋的拋光液的混合液，增大一次精拋過程中使用的拋光液中的研磨劑的粒徑，提高一次精拋的去除量，從而修復粗拋及中拋導致的缺陷，有效減少硅片表面的顆粒。拋光完成後，沿拋光墊徑向進行分區域刷洗，中部區域的刷洗速率大於外側區域和內側區域的刷洗速率，對拋光殘留物較多的外側區域和內側區域進行充分刷洗，提高了拋光墊的潔淨度，保證了拋光墊的拋光效果，從而進一步提高了硅片的平整度。

天眼查資料顯示，中環領先半導體科技股份有限公司，成立於2017年，位於無錫市，是一家以從事其他製造業爲主的企業。企業註冊資本500000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，中環領先半導體科技股份有限公司共對外投資了6家企業，參與招投標項目344次，財產線索方面有商標信息10條，專利信息1109條，此外企業還擁有行政許可226個。

本文源自：金融界

作者：情報員