英特爾申請具有在通孔周圍具有氣隙的橋管芯的封裝架構專利，提升封裝架構性能

金融界2025年2月22日消息，國家知識產權局信息顯示，英特爾公司申請一項名爲“具有在通孔周圍具有氣隙的橋管芯的封裝架構”的專利，公開號CN 119495674 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，半導體管芯的實施例包括:在第一表面上的第一接合焊盤，其用來耦合到封裝襯底；在第二表面上的第二接合焊盤，所述第二表面與所述第一表面相對；穿過所述半導體管芯的孔；所述孔內的傳導柱，其通過氣隙與所述孔的側壁分離，所述傳導柱耦合到所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤；以及路徑，其傳導耦合靠近所述第二表面的至少兩個集成電路(IC)管芯。

本文源自：金融界

作者：情報員