杭州富芯申請組合圖案刻蝕方法專利，平衡組合圖案刻蝕速率

金融界2025年5月3日消息，國家知識產權局信息顯示，杭州富芯半導體有限公司申請一項名爲“組合圖案的刻蝕方法”的專利，公開號CN119905400A，申請日期爲2024年12月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種組合圖案的刻蝕方法，應用於半導體器件中，半導體器件包括襯底及位於襯底上沿垂直襯底方向依次層疊的導電層、介質層、掩膜層和光刻膠層，導電層包括多個金屬電極，組合圖案包括至少一個溝槽和至少一個通孔，方法包括：以目標刻蝕氣壓對半導體器件進行刻蝕；輸入目標比例的主刻蝕氣體和惰性氣體，以縮小組合圖案中每個溝槽或通孔之間的刻蝕速度差異，使組合圖案中每個溝槽或通孔暴露出至少一個金屬電極。至少能夠通過刻蝕氣壓和輸入目標比例的主刻蝕氣體和惰性氣體的方式，平衡組合圖案之間的刻蝕速率，避免了刻蝕形成的溝槽和/或通孔處出現極大的負載，也避免了對半導體器件的關鍵電性數據的影響。

天眼查資料顯示，杭州富芯半導體有限公司，成立於2019年，位於杭州市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本945000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，杭州富芯半導體有限公司參與招投標項目24次，財產線索方面有商標信息15條，專利信息283條，此外企業還擁有行政許可16個。

本文源自：金融界

作者：情報員