上海新微技術研發中心申請高深寬比結構溼法刻蝕方法及設備專利 確保刻蝕均勻度

金融界2025年8月13日消息，國家知識產權局信息顯示，上海新微技術研發中心有限公司申請一項名爲“一種高深寬比結構溼法刻蝕方法及設備”的專利，公開號CN120463151A，申請日期爲2025年05月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種高深寬比結構溼法刻蝕方法、設備，所述刻蝕方法包括步驟：步驟一：提供經光刻顯影后的晶圓，對所述晶圓表面進行等離子體處理；步驟二：使處理後的所述晶圓上的待刻蝕長深槽水平放置在浸泡槽內，對所述晶圓進行溼法刻蝕處理，使刻蝕液的流動方向與所述晶圓表面呈20°～45°的傾斜角度；步驟三：刻蝕完成，清洗、乾燥所述晶圓。本發明在進行溼法刻蝕前增加了等離子體處理步驟，增加刻蝕面的親水性，顯著提高了刻蝕液在材料表面的沁潤性，並且通過調節刻蝕液流動方向與晶圓表面的傾斜角度，改變了刻蝕液流動路徑，確保刻蝕均勻度。

天眼查資料顯示，上海新微技術研發中心有限公司，成立於2013年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本144416萬人民幣。通過天眼查大數據分析，上海新微技術研發中心有限公司共對外投資了21家企業，參與招投標項目480次，財產線索方面有商標信息52條，專利信息704條，此外企業還擁有行政許可44個。

本文源自：金融界

作者：情報員