外媒：英特爾 18A 製程 SRAM 密度追平臺積電 N2

外媒報導傳出英特爾18A製程有重大突破。 路透

英特爾18A製程相關話題和臆測已傳了好一段時日，但最新媒體報導宣稱，英特爾或許即將贏來重大突破：18A製程的SRAM密度正追平臺積電（2330）的N2製程。若是如此，對英特爾未來展望大有助益。

最新消息傳出，英特爾18A製程技術出現一大突破，即採用晶背供電（Backside Power Delivery，BSPDN）技術，創下半導體產業首例。如此一來，不僅節電效率提升，也改善訊號完整性，使整體產品性能更佳。

英特爾與臺積電之間的半導體競賽仍如火如荼進行中，看來競爭會愈演愈烈。但關鍵因素是，製程引進供應鏈後的成效如何。

消息傳出後，英特爾股價仍未見起色，顯示此消息並未驅散投資人對英特爾的疑慮。

BusinessInsider報導指出，18A製程縱使有突破，短期內能給英特爾帶來的助益有限。而且，英特爾仍亟需資金挹注，正與Silver Lake洽商出售持有的Altera股票。

華爾街分析師目前普遍給英特爾股票「中立」評價。給予該股「買進」評價的只有一人，27人持「中立」看法，五人建議「賣出」。