聯電推55奈米BCD平臺 搶市佔

聯電22日推出全新55奈米BCD平臺，鎖定車用電子、行動裝置與工業控制等高可靠度市場。圖／本報資料照片

聯電（2303）22日推出全新55奈米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平臺，此平臺針對電子產品電源管理需求而設計，實現更小的晶片面積、更低的功耗與卓越的抗雜訊表現，鎖定車用電子、行動裝置與工業控制等高可靠度市場。法人分析，此舉意味聯電特殊製程佈局進一步深化，有助強化電源管理與混合訊號晶片領域的市佔基礎，搶佔電動車與智慧終端擴張帶來的長線需求。

BCD技術是目前電源管理晶片的核心製程，能在單一晶片上整合類比、數位與高壓電力元件，兼顧效能與面積成本。隨着車用與穿戴裝置對電源效率要求日益嚴格，全球BCD晶片市場預期將保持每年高個位數成長。聯電此次推出的55奈米平臺，主打低功耗與高系統整合，目標取代過去0.18微米世代的主力應用。

新平臺提供三種製程架構：Non-EPI（非磊晶）製程；EPI（磊晶）製程；SOI（絕緣層上覆矽）製程。

法人指出，55奈米BCD在製程尺寸與電壓承受力之間取得平衡，已成爲德州儀器（TI）、意法半導體（ST）等近年新產品的重要節點。聯電具備完整的BCD技術家族，從0.35微米到55奈米均已成熟量產，可提供不同電壓與成本結構的客製化方案，對需要高整合、高穩定的車用與工業客戶具吸引力。

目前全球車用電源晶片需求強勁，尤其電動車的電池管理系統（BMS）、DC-DC轉換器及ADAS控制模組皆需高可靠度BCD製程支援。法人認爲，聯電藉由導入更高規格的55奈米BCD平臺，可擴大在車用供應鏈的滲透率，並提升在車用PMIC與馬達驅動IC代工市場的競爭力。

此外，新平臺整合超厚金屬層（UTM）、嵌入式快閃記憶體（eFlash）及電阻式記憶體（RRAM）等多項製程模組，讓晶片可兼具資料儲存與電源控制功能，提升設計彈性並縮短開發時程。法人預期，隨着車用電子持續升溫及AI裝置電源管理需求增加，聯電此平臺將有機會在2026年後帶來穩定出貨動能。