聯電推55奈米BCD平臺 鎖定車用、工業電源市場

聯電22日發表55奈米BCD平臺，鎖定車用、穿戴、工業等電力調控條件高的市場。（圖／報系資料照）

半導體廠聯電22日宣佈推出全新的55奈米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平臺，爲下世代行動裝置、消費性電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合，該平臺針對電子產品電源管理需求優化而設計，實現更小的晶片面積、更低的功耗與卓越的抗雜訊表現，賦予電源電路設計更高的靈活度與可靠性。

聯電指出，BCD技術能在單一晶片上整合類比、數位與電力元件，廣泛應用於電源管理與混合訊號IC，全新的55奈米BCD平臺提供多元化電源IC應用的解決方案，以滿足不同應用領域對效能與可靠度的需求。

包括非磊晶（Non-EPI）製程，具備獨特元件架構的高性價比方案，爲行動及消費性裝置提供優異的電源效率與性能；磊晶（EPI）製程，符合最嚴格的車規AEC-Q100 Grade 0標準，支援高達150V操作電壓，提升在極端環境下車用電子的可靠性；絕緣層上覆矽（SOI）製程，符合車規AEC-Q100 Grade 1標準，具備卓越的抗雜訊特性、高速運作與超低漏電性能，非常適合高階車用與工業使用。

聯電錶示，平臺同時整合了超厚金屬層（UTM）、嵌入式快閃記憶體（eFlash）與電阻式隨機存取記憶體(RRAM)等技術，進一步提升晶片效能與系統整合彈性。

技術研發副總經理徐世傑表示，55奈米BCD平臺的推出，象徵聯電在BCD技術佈局上的重要里程碑，更進一步完善特殊製程產品組合，強化在電源管理市場的競爭優勢；雖然55奈米BCD製程已在市場上量產多年，聯電推出全新且全面的55奈米BCD解決方案，具備卓越的元件特性，應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智慧家庭與智慧工廠等領域。

聯電已建構業界最完整且成熟的BCD技術組合，製程節點橫跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55奈米，提供具差異化的解決方案，憑藉着能提供廣泛的電壓需求、豐富的IP資源與完善的設計支援，加速客戶產品開發時程，強化在智慧電源與混合訊號市場的競爭力。