《半導體》聯電推55奈米BCD平臺 強化電源管理市場競爭力

聯電錶示,BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術能在單一晶片上整合類比、數位與電力元件,廣泛應用於電源管理與混合訊號IC。聯電全新55奈米BCD平臺提供多元化電源IC應用的解決方案,以滿足不同應用領域對效能與可靠度的需求。

聯電全新55奈米BCD平臺對於非磊晶製程具備獨特元件架構的高性價比方案,爲行動及消費性裝置提供優異的電源效率與性能。磊晶(EPI)製程則符合最嚴格的車規AEC-Q100 Grade 0標準,支援高達150V操作電壓,提升車用電子在極端環境下的可靠性。

對於絕緣層上覆矽(SOI)製程,聯電55奈米BCD平臺符合車規AEC-Q100 Grade 1標準,具備卓越的抗雜訊特性、高速運作與超低漏電性能,適合高階車用與工業使用。平臺同時整合超厚金屬層(UTM)、嵌入式快閃記憶體(eFlash)與電阻式隨機存取記憶體(RRAM)等技術,提升晶片效能與系統整合彈性。

聯電技術研發副總經理徐世傑表示,55奈米BCD平臺的推出,象徵聯電在BCD技術佈局的重要里程碑,更進一步完善集團特殊製程產品組合,強化在電源管理市場的競爭優勢。

徐世傑指出,55奈米BCD製程雖已在市場量產多年,聯電推出全新且全面的55奈米BCD解決方案,具備卓越的元件特性,協助客戶打造創新電源解決方案,應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智慧家庭與智慧工廠等領域。

聯電已建構業界最完整成熟的BCD技術組合,橫跨0.35、0.25、0.18、0.11微米至55奈米制程,提供具差異化的解決方案,憑藉廣泛的電壓需求、豐富的IP資源與完善的設計支援,加速客戶產品開發時程,強化智慧電源與混合訊號市場競爭力,與客戶實現長期雙贏成長。