聯電推出55奈米BCD平臺 提升行動裝置、消費性電子的電源效率

聯電（2303）今(22)日宣佈推出全新的55奈米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)平臺，爲下世代行動裝置、消費性電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合。此平臺針對電子產品日益複雜的電源管理需求而設計，實現更小的晶片面積、更低的功耗與卓越的抗雜訊表現，賦予電源電路設計更高的靈活度與可靠性。

BCD技術能在單一晶片上整合類比、數位與電力元件，廣泛應用於電源管理與混合訊號IC。聯電全新的55奈米BCD平臺提供多元化電源IC應用的解決方案，以滿足不同應用領域對效能與可靠度的需求，涵蓋行動和消費性產品採用非磊晶(Non-EPI)製程 、車車用的磊晶(EPI)製程以及符合符合車規AEC-Q100 Grade 1標準的絕緣層上覆矽(SOI)製程。

聯電技術研發副總經理徐世傑表示：「55奈米BCD平臺的推出，象徵聯電在BCD技術佈局上的重要里程碑，更進一步完善我們的特殊製程產品組合，強化在電源管理市場的競爭優勢。雖然55奈米BCD製程已在市場上量產多年，聯電推出全新且全面的55奈米BCD解決方案，具備卓越的元件特性，協助客戶打造創新電源解決方案，應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智慧家庭與智慧工廠等領域。」

徐世傑進一步強調說，聯電已建構業界最完整且成熟的BCD技術組合，製程節點橫跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55奈米，提供具差異化的解決方案，憑藉着能提供廣泛的電壓需求、豐富的IP資源與完善的設計支援，加速客戶產品開發時程，強化在智慧電源與混合訊號市場的競爭力，持續與客戶共同實現長期雙贏成長。

聯電推出55奈米BCD平臺 提升行動裝置、消費性電子與汽車應用的電源效率。（路透）