西安華芯智造申請半導體二極管雪崩耐量測試方法及系統專利 使雪崩耐量精確性更高

金融界2025年7月1日消息，國家知識產權局信息顯示，西安華芯智造技術有限公司申請一項名爲“一種半導體二極管的雪崩耐量測試方法及系統”的專利，公開號CN120233203A，申請日期爲2025年04月。

專利摘要顯示，本發明涉及半導體測試技術領域，具體涉及一種半導體二極管的雪崩耐量測試方法及系統。該方法包括：在尖峰電壓刺激並恢復到穩定狀態的過程中，獲取半導體二極管的熱成像圖像，確定局部溫度的峰值區域；根據溫度變化以及峰值區域的面積，確定散熱不足性指標；結合散熱不足性指標和所有峰值區域的距離，確定熱成像圖像的局部過熱因子；根據時序上所有熱成像圖像的局部過熱因子的數值變化，確定二極管局部過熱現象的消散速率；結合局部過熱因子和消散速率確定熱擊穿可能性；根據二極管在不同尖峰電壓的所有熱擊穿可能性的數值變化，確定雪崩耐量。

天眼查資料顯示，西安華芯智造技術有限公司，成立於2024年，位於西安市，是一家以從事研究和試驗發展爲主的企業。企業註冊資本1000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，西安華芯智造技術有限公司。

本文源自：金融界

作者：情報員