臺積電技術論壇宣佈2028年量產A14製程技術 ADR大漲逾4%

臺積電技術論壇宣佈，2028年量產A14製程技術，帶動ADR大漲逾4%。本報資料照片

臺積電（2330）北美技術論壇在美國23日在加州聖塔克拉拉登場，公佈最新一代A14製程技術，將在2028年開始提供晶圓代工服務，爲半導體制程進入埃米世代開啓新頁，有助AI晶片展現更大的效應和節電錶現。

臺積電並宣佈全新的「System on Wafer-X」系統級封裝技術，這可把16顆晶片整合在有如餐盤大小基板上，爲晶片提升數千瓦數電力。

臺積電表示，A14製程技術將比目前已量產的3奈米制程，以及今年即將量產的2奈米制程，有更好電晶體密度和降低功耗表現。相較於2奈米，A14晶片在相同功耗下，處理速度加快15%，或者是在同樣處理速度下，功耗降低30%。

臺積電ADR受到美股大漲及技術持續領先的激勵，美國23日收盤價157.81元、漲幅4.23%，臺積電今日股價以886元開盤，上漲13元，但隨即漲勢受壓抑，維持小漲格局。

臺積電已計劃領先全球將半導體制程率先推進至埃米世代，將於2026年底推出A16製程。預料仍是由最大客戶率先導入此製程，超微（AMD）預料也會跟進，同時是第一家高運算效能（HPC）導入這項最先進製程的晶片設計公司。

其餘客戶包括AI晶片霸主輝達和聯發科，也是臺積電先進製程大客戶，但兩家公司都不會一開始就採用最新一代的製程。例如輝達最新一代的旗艦級繪圖處理器GB300（GPU）是由兩顆大型晶片組成，則採用臺積電的N4P奈米制程，預定2027年推出的「Rubin Ultra」GPU則將整合四顆晶片，將採用3奈米制程。

臺積電在宣告A14奈米即將於2028年推出後，預料將加快研發腳步，有利爲材料分析廠帶來可觀的研發動能。未來A14奈米仍會先在臺灣量產，主要生產據點將於臺積電的寶山和中科擴大基地。

至於臺積電宣佈在於亞利桑那州的晶圓廠，也計劃提前一年量產；目前正進行二廠無塵室和機電整合工程，規畫今年9月開始進機安裝，希望能趕在明年試產、2027年量產；第三廠則會導入A16奈米生產，原預定2030年量產，也可能提前一年。至於新提升的三座晶圓廠、二座先進封裝廠和一座研發中心，目前未向董事會提出具體計劃，不過內部傾向二座先進封裝廠，將切入新一代迎合AI晶片封裝所需扇出型面板級封裝（FOPLP），美國全新佈局，雖會帶給臺積電毛利率短期稀釋壓力，卻讓臺積電更具供應韌性，避開川普政府的關稅壓力。

臺積電業務開發資深副總裁張曉強說，「隨着我們持續把更先進晶片帶到亞利桑那州，也必須持續努力強化這些晶片。」

張曉強在技術論壇登場的前一天表示，他觀察到產業正在發生一項變化，即以往智慧手機零組件製造商通常是最早採用新制程技術的族羣，但隨着AI快速發展，如今設計大型AI晶片的公司變得更願意搶先採用最新創新技術。

張曉強指出，臺積電有信心半導體整體需求將持續成長，預期整體產業產值在2030年前將「輕鬆」突破1兆美元。但他也表示，隨着美國近期宣佈一連串關稅措施，投資人對AI泡沫的疑慮也提高。