臺積電宣佈目標2028年量產A14製程 同步提出諸多推進運算效能的新製程技術

臺積電稍早於2025年北美技術論壇中揭曉下一世代A14製程技術，鎖定高效能運算、智慧型手機、汽車，以及物聯網等應用，並且標榜相比今年稍晚將進入量產的N2製程可在相同功耗下提升15%執行效能，或是在相同效能下減少30%功耗，並且可讓電路邏輯密度提高20%。

同時，臺積電預計A14製程技術將在2028年開始投入量產，更強調目前開發進展順利，良率甚度優於原本預期表現，同時也說明結合本身在奈米片電晶體的設計技術與最佳化經驗，更將其TSMC NanoFlex標準單元架構發展爲NanoFlex Pro，藉此實現更好的效能、能源效率和設計靈活性。

除了A14製程技術，臺積電也同步公佈新邏輯製程、特殊製程、先進封裝及3D晶片堆疊技術，藉此對應接下來廣泛發展的高效能運算 (HPC)、智慧型手機、汽車和物聯網技術平臺應用需求。

另一方面，臺積電也說明繼續推進其CoWoS (Chip on Wafer on Substrate)技術，藉此滿足人工智慧技術發展需要更多電路邏輯、HBM高頻寬記憶體的需求，預計在2027年量產9.5倍光罩尺寸的CoWoS技術，配合先進製程技術將12個或更多組HBM高頻寬記憶體堆疊整合至單一封裝單位內。

而臺積電也宣佈推出以CoWoS技術爲基礎的SoW-X晶圓解決方案，相比2024年提出的TSMC-SoW，將使晶圓尺寸系統能發揮高於40倍運算能力，預計在2027年進入量產。其他應用解決方案，則包含導入緊湊型通用光子引擎 (COUPE)技術的矽光子整合、用於HBM4高頻寬記憶體的N12與N3製程基礎裸晶，以及相比電路板上的獨立電源管理晶片，能提供5倍垂直功率密度傳輸，主要用於人工智慧運算驅動的新型整合型電壓調節器 (Integrated Voltage Regulator,IVR)。

至於在各項應用領域發展部分，臺積電也說明將以新一代射頻技術N4C RF對應高速、低延遲無線連接效能，藉此對應諸如手機等行動裝置端大量人工智慧運萬數據傳輸吞吐需求，與先前提出的N6RF+相比，N4C RF可對應高達30%的功率及佔用面積縮減，並且符合接下來預計推出的Wi-Fi 8晶片設計標準，或是符合人工智慧運算的真無線立體聲控制晶片，預計在2026年第一季進入試產。

汽車部分則以N3A製程滿足客戶需求，目前此製程技術正處於車電零組件可靠度驗證AEC-Q100第一級驗證最後階段，同時也將持續改良，以符合汽車零件每百萬分之缺陷率 (DPPM)的穩定性要求，之後將進入汽車應用生產階段，爲未來的軟體定義汽車相關技術應用作準備。而在物聯網應用部分，則是準備以即將生產的超低功耗N6e製程應對，預計會在後續推動N4e製程。

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