Si晶體有限責任公司申請生長SiC體積單晶裝置和方法專利，增加絕緣體反射率

金融界2025年6月23日消息，國家知識產權局信息顯示，Si晶體有限責任公司申請一項名爲“用於生長SiC體積單晶的裝置和生長方法”的專利，公開號CN120174485A，申請日期爲2024年12月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種通過昇華生長在生長方向上在腔中生長SiC體積單晶的裝置。裝置包括基座，基座用於加熱腔；以及圍繞基座的絕緣體，絕緣體用於使基座與裝置的外部熱絕緣。絕緣體包括在生長方向和圓周方向上圍繞基座的熱絕緣壁，熱絕緣壁用於減少在徑向方向上從基座到裝置外部的熱傳遞，徑向方向垂直於生長方向；設置在基座和熱絕緣壁之間的導熱層，導熱層具有比熱絕緣壁更高的熱導率，用於在導熱層上分佈熱量；其中，導熱層與基座間隔開，以減少由熱傳導引起的從基座到絕緣體的熱傳遞，並且導熱層設置在熱絕緣壁上，從而減少絕緣體的波紋度，以增加絕緣體的反射率。

本文源自：金融界

作者：情報員