天科合達申請一種N型碳化硅晶體的製備方法和裝置專利，提高N元素摻雜的均勻性

金融界2025年5月19日消息，國家知識產權局信息顯示，北京天科合達半導體股份有限公司;江蘇天科合達半導體有限公司申請一項名爲“一種N型碳化硅晶體的製備方法和裝置”的專利，公開號CN120006392A，申請日期爲2025年03月。

專利摘要顯示，本申請公開了一種N型碳化硅晶體的製備方法，包括：碳化硅原料和籽晶在通入惰性氣體和包括氮等離子體的氮摻雜源氣體的條件下進行生長，得到N型碳化硅晶體。本申請將包括氮等離子體的氮摻雜源氣體用於碳化硅的摻雜，直接提升了摻雜源氮離子的濃度；同時也使氮摻雜源氣體具有了較高的初始能量，顯著提升了SiC生長爐腔內摻雜源氮離子的有效濃度，降低因SiC生長界面溫差效應造成的氮離子的電離和吸附差異，有利於提高SiC生長界面的自由氮原子或氮離子濃度分佈的均勻性，進而提高N元素摻雜的均勻性。

天眼查資料顯示，北京天科合達半導體股份有限公司，成立於2006年，位於北京市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本50600萬人民幣。通過天眼查大數據分析，北京天科合達半導體股份有限公司共對外投資了8家企業，參與招投標項目266次，財產線索方面有商標信息42條，專利信息177條，此外企業還擁有行政許可148個。

江蘇天科合達半導體有限公司，成立於2018年，位於徐州市，是一家以從事科技推廣和應用服務業爲主的企業。企業註冊資本35000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，江蘇天科合達半導體有限公司參與招投標項目90次，專利信息95條，此外企業還擁有行政許可27個。

本文源自：金融界

作者：情報員