杭州電子科技大學溫州研究院申請具有雙面變高K介質結構專利，提高器件的擊穿電壓

金融界2025年6月11日消息，國家知識產權局信息顯示，杭州電子科技大學溫州研究院有限公司;杭州電子科技大學申請一項名爲“一種具有雙面變高K介質結構的部分絕緣層上硅LDMOS器件”的專利，公開號CN120129277A，申請日期爲2025年03月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種具有雙面變高K介質結構的部分絕緣層上硅LDMOS器件，該LDMOS器件包括依次層疊設置的襯底層、埋氧層、硅膜層和器件頂層；所述的硅膜層包括硅材料主體和高K介質區；硅材料主體的兩側均設有高K介質區；高K介質區包括並列設置的第一高K介質和第二高K介質；第一高K介質與第二高K介質的寬度相等，K值不同。通過設置的寬度相同、K值不同的第一高K介質和第二高K介質，有助於引導電通量，調製器件電場的分佈，降低源漏兩端的電場，使得器件表面電場分佈更加均勻，防止器件因源漏兩端電壓過高導致提前擊穿的問題，從而提高器件的擊穿電壓。

本文源自：金融界

作者：情報員