半導體元件工業申請用於具有注入隔離的JFET的方法和系統專利，能用於具有注入隔離的垂直結型場效應晶體管

金融界2025年5月12日消息，國家知識產權局信息顯示，半導體元件工業有限責任公司申請一項名爲“用於具有注入隔離的JFET的方法和系統”的專利，公開號CN119967899A，申請日期爲2020年12月。

專利摘要顯示，本申請實施例涉及用於具有注入隔離的垂直結型場效應晶體管(Junction Field Effect Transistor，JFET)的方法和系統。一種JFET，包括：襯底；有源區，該有源區具有多個半導體鰭；在鰭的上表面上的源極金屬層源極金屬盤層，該源極金屬盤層通過源極金屬層耦合到半導體鰭；柵極區，該柵極區圍繞半導體鰭；以及體二極管，該體二極管圍繞柵極區。

本文源自：金融界

作者：情報員