中科院上海微系統所：雙向高導熱石墨膜研究獲突破 爲5G芯片、功率半導體熱管理提供技術支撐

近日，中國科學院上海微系統所聯合寧波大學研究團隊在《Advanced Functional Materials》發表研究，提出以芳綸膜爲前驅體通過高溫石墨化工藝製備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導熱石墨膜，在膜厚度達到40微米的情況下實現面內熱導率Kin達到1754 W/m·K，面外熱導率Kout突破14.2 W/m·K。與傳統導熱膜相比，雙向高導熱石墨膜在面內和麪外熱導率及缺陷控制上均表現出顯著優勢。在智能手機散熱模擬中，搭載雙向高導熱石墨膜的芯片表面最高溫度從52 ℃降至45 ℃；在2000 W/cm²熱流密度的高功率芯片散熱中，AGFs使芯片表面溫差從50 ℃降至9 ℃，實現快速溫度均勻化。該研究揭示了芳綸前驅體在石墨膜製備中的獨特優勢，證明了氮摻雜與低氧含量前驅體可提升石墨膜結晶質量和雙向導熱特性，其雙向導熱性能突破可爲5G芯片、功率半導體等高功率器件熱管理提供關鍵材料和技術支撐。

本文源自：金融界AI電報