鴻海第四代半導體研究 大突破

第四代半導體指的是超寬能隙（UWBG）半導體材料，如鑽石、AlN等，相較於前三代半導體，它們具有更寬的能隙使其在高功率、高頻、高溫環境下表現更優異。

研究團隊從材料特性與製程研發角度出發，發現增加氧氣流量可適時降低氧空位比例，改善結晶品質並減少鋁擴散，提升熱穩定性與元件特性。

鴻海研究院指出，這項成果將爲通訊及高功率等領域帶來深遠影響；第四代半導體可應用於電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航太科技。

鴻海研究院進一步說明，本項研究在第四代半導體領域取得顯著突破，爲未來通訊技術和高功率領域應用奠定了基礎；研究團隊未來計劃進一步優化改善結構設計與製程技術，爲全球高功率電子產業注入新動能。

國立陽明交通大學則表示，此一研究不僅提升元件的電流驅動能力和耐壓性，更透過精確的成長參數與結構設計，爲未來產業應用開闢了新道路。

針對鴻海半導體佈局，鴻海董事長劉揚偉先前表示，鴻海在第三代半導體，從碳化矽（SiC）到矽等，都一直在研發與發展中，會持續佈局第三代半導體，包括氮化鎵（GaN）、碳化矽及矽基氮化鎵（GaN on Si）等。而鴻海不僅有IC設計服務，還有封裝，目前是先鎖定車用晶片，之後會規劃拓展至衛星產業相關的晶片等方向。