《其他電》鴻海研究院跨國合作 下世代電晶體關鍵技術獲突破

第四代半導體意指鑽石、氮化鋁（AlN）、β-氧化鎵等超寬能隙（UWBG）半導體材料，相較前三代半導體擁有更寬的能隙（bandgap）、通常大於3.4 eV，使其在高功率、高頻、高溫環境下表現更優異，可應用於電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航太科技。

鴻海研究院半導體所此次攜手陽明交通大學、德州大學奧斯汀分校開展前瞻研究合作，研究團隊透過優化β-氧化鎵的厚度和摻雜濃度，實現高開態電流、低開態電阻及高達1000萬以上的開關比，展現出優異的二維電子氣（2DEG）特性。

鴻海研究院表示，此項研究在第四代半導體領域取得顯著突破，爲未來通訊技術和高功率領域應用奠定基礎。研究團隊未來計劃進一步優化改善β-氧化鎵的結構設計與製程技術，爲全球高功率電子產業注入新動能。

國立陽明交通大學洪瑞華教授表示，β-氧化鎵因其超寬能隙和高崩潰電場強度，在高功率電子元件領域具有無可比擬的優勢。此次研究不僅提升了元件的電流驅動能力和耐壓性，更透過精確的成長參數與結構設計，爲未來產業應用開闢新道路。

鴻海研究院半導體所所長郭浩中指出，此項技術突破展現鴻海在半導體領域的深厚研發實力。很高興與陽明交通大學合作，將學術研究轉化爲產業應用潛力，特別在高壓、高頻元件的需求日益增長的背景下，這項成果將爲通訊及高功率等領域帶來深遠影響。

參與此次研究計劃的鴻海研究院半導體所組長蕭逸楷補充，模擬與實驗數據的高度一致性，證明在材料與元件設計上的精準掌握，對於後續技術轉移至量產至關重要。