欣榮半導體石墨材料 技術自主

欣榮材料在董事長周憲聰（左）、總經理吳玉祥（右）攜手努力下，成功研製新世代球型多孔碳、CVD矽碳負極、半導體石墨材料。圖／業者提供

成立四年的欣榮材料爲鋰電池負極材料製造商，創立董事長周憲聰、總經理吳玉祥，深耕鋰電池負極材料領域逾30餘年，攜手領導創新研發，不斷改進碳素負極材料製程與應用，發展新世代球型多孔碳、CVD矽碳負極開創新成果；近兩年欣榮再跨足半導體石墨材料技術研製，取得三項成果，助力臺灣半導體前端製程設備以及關鍵元件石墨材料技術自主性。

欣榮主要產品爲鋰電池負極材料、超高純度石墨塊材與粉體、石墨玻璃碳塗層、CVD碳化矽塗層等；企業總部設於新北市汐止區，江西上高廠佔地2萬坪，一貫化廠年產負極材料2萬噸，宜蘭工廠以高純石墨製品爲主，設有純化與CVD碳化矽表面塗層設備。

欣榮在半導體石墨材料發展上，陸續完成石墨塊材與粉體純化、石墨塊材玻璃碳表面塗層等量產準備，CVD碳化矽表面塗層近日將正式問世，進行測試驗證與量產準備，爲臺灣半導體石墨材料技術自主指標廠商。

吳玉祥總經理指出，欣榮的半導體用石墨塊材與粉體純化技術，可提升材料純度達99.9999％（6N）以上，滿足半導體前段製程極端高潔淨製程需求。

主要用於長晶用石墨坩堝與治具、MOCVD磊晶系統承載盤、離子植入機石墨零組件等部件。

目前純化技術已正式量產，並與多家國際知名石墨原料供應商及國內外精密元件製造商合作，純化處理後的石墨材料指標，高於業界標準。

石墨塊材玻璃碳塗層工法，是針對石墨塊材進行表面改性的創新技術，欣榮利用多層塗覆結構設計與分段熱解技術，解決傳統玻璃碳塗層困境；相較市面上單一塗層方式，石墨塊材玻璃碳塗層技術具四大特色，包括，有效提升玻璃碳含浸深度、增加材料硬度與密度、良好的抗發塵效果與微粒抑制能力。

石墨塊材玻璃碳塗層技術開發，經與二家國內半導體石墨零組件廠合作，目前已完成測試，開始接單量產；主要用於離子植入機內部構件、高溫爐用石墨模具與承載平臺、MOCVD與PECVD設備載盤與治具、光電與感測元件製造用治具。

10月CVD碳化矽表面塗層技術將完成開發與導入量產，在高溫碳化矽CVD爐，配合沉積技術，在石墨塊材表面形成一層薄而堅硬的碳化矽沉積層，提升耐磨、耐蝕、抗氧化及導熱等性能。應用在半導體長晶、磊晶生長MOCVD承載盤、蝕刻與沉積設備零組件。

新世代的球型多孔碳CVD矽碳負極，具1,800～2,000mAh/g高能量密度、＜125％低膨脹率、＞1,000次長循環壽命、＞90％高首次效率等優勢，欣榮採主流樹脂法制備多孔碳，與下游CVD沉積奈米矽與表面碳包覆業者合作，同時供應多孔碳與CVD矽碳負極。

市調預測，今年全球CVD矽碳負極需求5千噸（每噸售價達10萬～15萬美元），至2030年需求達8萬噸，增長16倍，將帶動多孔碳需求4萬噸，約650億元規模。CVD矽碳負極進入快速成長期，多孔碳爲核心材料前景可期。