臺積電2025技術論壇 張曉強：2大關鍵定義半導體未來

臺積電2025技術論壇。圖／張珈睿

臺積電業務開發及全球業務資深副總經理暨副共同營運長張曉強於技術論壇深入分享臺積電半導體制程的最新進展，從3奈米系列工藝衍伸、A16與A14製程佈局、3D整合技術、先進封裝到未來記憶體應用，強調「能源效率」（Energy Efficiency）將成爲推動AI與半導體發展的關鍵核心。

張曉強指出，N2技術推進順利，進入第二年後客戶採用熱度翻倍，顯示產業對最先進工藝的強烈需求。他進一步說明A16製程的創新意義，首次導入「背面供電」（Backside Power），改善電源分佈效率，提升10％效能、20％電源效率與10％邏輯密度，預計2026年下半年導入量產，特別適用於AI應用。

在製程演進方面，3奈米平臺持續推陳出新，包括N3E、N3B與N3X等衍生製程，提供不同效能與密度選項，以滿足高效能運算（HPC）與自駕車ADAS晶片需求。展望未來，臺積電積極研發A14與其強化版本A14A，預期將於2028年量產，實現15％效能與30％能源效率提升。

針對未來材料與電晶體架構創新，張曉強提到C-FET（複合式場效電晶體）技術已取得突破，可整合N型與P型通道，進一步推進電晶體密度與效能。他也強調，僅靠電晶體技術已不足以支撐AI的龐大計算需求，臺積電已將系統級整合（System Integration）納入技術核心，透過3D堆疊與先進封裝，打造更高密度與互連效率的晶片平臺。

封裝方面，張曉強表示，臺積電已推出系統級晶圓（System-on-Wafer）技術，透過加大中介層（Interposer）尺寸，實現40倍資料傳輸密度，支援未來AI與高效能記憶體整合。此外，臺積電亦着手推進矽光子（Silicon Photonics）技術，讓電子與光訊號轉換於晶片內部實現，減少資料傳輸耗能。

記憶體技術方面，張曉強介紹臺積電對次世代記憶體如RRAM與MRAM的投入，尤其在邏輯兼容性與高溫穩定性方面取得實質進展，將擴大用於IoT與車用市場。

張曉強表示，AI將持續改變人類生活與工作方式，半導體制程演進的驅動力在於對能源效率的極致追求。臺積電將致力提供全球最先進且具效能的技術平臺，協助客戶不斷創新、突破未來。