《半導體》M31攜手臺積電 推進2奈米eUSB2 IP技術創新

展望未來，M31正積極開發新一代 eUSB2 Version 2.0（eUSB2V2）PHY IP，目前正同步於臺積電3奈米與2奈米節點進行加速研發。

M31的 eUSB2 IP解決方案在先進製程上展現出優異的穩健性與可靠性，已被多家全球領先的高階智慧型手機晶片與AI影像處理應用廠商廣泛採用。在此基礎上，M31正積極推進 eUSB2V2 的開發，全面佈局臺積電N3與N2製程，擴展其完整的eUSB2解決方案平臺，涵蓋eUSB2 V1、V2 PHY及eUSB2 Repeater。

eUSB2V2延續 eUSB2 標準，導入低電壓介面與非對稱頻寬技術，支援TX與RX傳輸速率不對稱，進一步提升整體資料傳輸效率。此設計特別適用於AI邊緣運算、智慧監控與影像處理晶片等嵌入式應用場景。爲滿足多元設計需求，eUSB2V2在標準基礎上強化I/O架構，支援從480 Mbps至最高4.8 Gbps的傳輸速率，兼具高效能、低功耗與設計彈性，爲高階SoC提供一套完整的高速傳輸解決方案，同時確保與既有USB 2.0裝置的高度相容性。

M31總經理張原薰於2025年臺積電北美技術論壇上表示：「憑藉多年USB PHY IP的開發經驗，與臺積電長期且緊密的合作關係，M31的 eUSB2 IP 已於多個先進製程節點完成矽驗證。本次在2奈米節點上的合作進展，更展現我們在高速傳輸介面IP領域的創新能力與承諾，致力於協助客戶導入最新協議，縮短晶片設計與量產的時程。」 臺積電先進技術業務開發處資深處長袁立本則表示：「我們很高興能與M31攜手推進IP技術創新，支持未來產品的發展。透過與像M31這樣的OIP合作伙伴密切合作，我們將共同推動下一代AI與高效能運算應用，發揮臺積先進製程的最大價值。」