M31報喜！與臺積電合作 推進2奈米eUSB2 PHY IP技術

臺積電。 聯合報系資料照

矽智財（IP）廠M31（6643）於24日宣佈，其 eUSB2 PHY IP 已在臺積電（2330）3 奈米制程成功完成矽驗證，並於 2 奈米制程技術完成設計定案。

M31表示，該公司自2012年加入臺積電開放創新平臺（OIP）的IP 聯盟以來，連續七年榮獲臺積公司 OIP 年度合作伙伴獎，展現與臺積電深厚穩固的合作關係。自2020 年，M31 於臺積電 7 奈米制程首度推出 eUSB2 IP 解決方案，此後持續擴展相關產品線，涵蓋 5 奈米、3 奈米，並推進至最新的 2 奈米制程。

展望未來，M31指出，正積極開發新一代 eUSB2 Version 2.0（eUSB2V2）PHY IP，目前正同步於臺積電 3 奈米與 2 奈米制程節點加速研發中。

M31強調，其 eUSB2 IP 解決方案已被多家全球領先的高階智慧型手機晶片與 AI 影像處理應用大廠廣泛採用。立基於此，該公司正積極推進 eUSB2V2 IP 的開發，佈局臺積電 N3 與 N2 製程技術，進一步擴展完整的 eUSB2 解決方案平臺。

M31總經理張原薰也於 2025 年臺積電北美技術論壇上表示，憑藉深厚的 USB PHY IP 開發經驗，及與臺積電長期且緊密的合作關係，M31 的 eUSB2 IP 已在多個先進製程節點成功矽驗證。此次與臺積電於 2 奈米節點的協作進展，更顯其在高速傳輸介面 IP 領域的創新與承諾，致力協助客戶導入最新協議，加速晶片設計與量產流程。