M31攜手臺積電 推進2奈米eUSB2 IP技術創新

臺積電。圖／聯合報系資料照片

矽智財（IP）廠M31今天宣佈，eUSB2實體層（PHY）IP已在臺積電3奈米制程成功完成矽驗證，並於2奈米制程技術完成設計定案，將加速推動人工智慧（AI）智慧裝置的應用落地。

M31發佈新聞稿指出，2020年於臺積電7奈米制程首度推出eUSB2 IP解決方案，之後持續擴展eUSB2 IP產品線，涵蓋5奈米、3奈米，並推進至最新的2奈米制程，與臺積電先進製程藍圖高度契合。

M31總經理張原薰說，旗下eUSB2 IP已在多個先進製程成功矽驗證，這次與臺積電於2奈米的協作進展，顯示M31在高速傳輸介面IP領域的創新，協助客戶導入最新協議，加速晶片設計與量產流程。

M31表示，eUSB2 IP解決方案已被多家高階智慧手機晶片與AI影像處理應用廠廣泛採用。目前正積極開發新一代eUSB2 Version 2.0實體層IP，同步於臺積電3奈米與2奈米制程加速研發中。