M31攜手臺積電推N6e超低功耗記憶體 搶攻AIoT商機

M31獲頒「臺積電 2025 OIP矽智財夥伴獎」，左爲M31總經理張原薰。圖／M31提供

矽智財廠円星科技（M31）25日於臺積電北美OIP生態系論壇，發佈N6e平臺超低功耗記憶體編譯器，瞄準AI邊緣運算與物聯網市場，並連續第八年榮獲臺積電OIP年度合作伙伴特殊製程IP獎，展現其在先進製程IP設計領域的技術實力。

M31此次推出的N6e記憶體編譯器涵蓋超低漏電（ULL）、極低漏電（ELL）與低電壓操作（Low-VDD）三大產品線。其中，ELL記憶體編譯器在深度睡眠模式下可降低高達50%功耗，而Low-VDD版本更可在僅0.5V操作電壓下運行，大幅降低動態與漏電功耗。

ULL記憶體編譯器具備高密度、高效能SRAM與單埠暫存檔案，支援備援、電源閘控、掃描測試等功能，並採用High Sigma設計方法，確保在嚴苛邊界條件下穩健運作，滿足AIoT裝置對效能與功耗平衡的嚴格要求。

這系列產品專爲智慧家庭、穿戴式裝置等AI邊緣運算應用設計，透過極致低功耗最佳化，協助客戶在效能與功耗間取得最佳平衡。隨着AIoT市場快速成長，超低功耗記憶體需求激增，M31搶先佈局相關技術，有助擴大在IP授權市場的佔有率。

M31總經理張原薰表示，從N12e低功耗解決方案到最新N6e記憶體編譯器，該公司持續推出領先業界的IP，協助AIoT與邊緣應用加速晶片設計落地，期待與臺積電及OIP生態系夥伴深化合作。

此次M31延續先前在臺積電N12e製程的成功經驗，進一步擴展至更先進的N6e平臺，展現其與臺積電長期合作的技術優勢。在IP授權市場競爭日趨激烈下，能否在先進製程節點提供差異化的低功耗解決方案，已成爲廠商勝出的關鍵因素。

M31連續八年獲得臺積電OIP合作伙伴獎項，不僅彰顯其技術實力，也有助強化與下游晶片設計客戶的合作關係，爲未來營收成長奠定基礎。