M31 發布臺積電 N6eTM 平臺超低功耗記憶體編譯器
矽智財(IP)業者M31於25日公佈,於2025臺積電北美開放創新平臺(OIP)生態系論壇中宣佈,延續先前在臺積電N12eTM製程上成功驗證的低功耗 IP 解決方案,進一步擴展至N6eTM平臺,推出全新超低漏電、極低漏電,以及低電壓操作記憶體編譯器。
同時,M31也榮獲2025年臺積電OIP年度合作伙伴特殊製程IP獎,是該公司連續第八年獲得此殊榮。
M31提到,基於臺積電N6e先進製程開發的此係列記憶體編譯器,專爲AI邊緣運算與物聯網裝置打造,可協助智慧家庭、穿戴式裝置等應用在效能與功耗之間取得最佳平衡。
M31總經理張原薰表示,該公司與臺積電長期以來的合作關係,是其持續創新的重要基石。從N12e低功耗解決方案到最新的N6e ULL、ELL 及Low-VDD記憶體編譯器,M31不斷推出領先業界的IP,協助AIoT與邊緣應用加速晶片設計的成功落實。展望未來,期待與臺積電及 OIP 生態系夥伴深化合作,共同推動 AI 驅動技術持續發展。