力積電：記憶體緊到明年H1

力積電近六季EPS

力積電21日舉行法說會，總經理朱憲國表示，中介層（Interposer）良率已達量產水準，多家AI晶片客戶新產品（NTO）積極導入、試產順利，將按計劃逐步擴大投片；同時，Wafer-on-Wafer（WoW）3D堆疊已與多家國內外客戶進入PoC驗證，預計2026年下半年量產，第三季先進封裝相關營收佔比2％，比重尚小，但已成爲跨入AI高階封裝代工鏈的關鍵跳板。

力積電強調，記憶體代工維持緊俏格局，受HBM與DDR5產能排擠，利基型DRAM價量走升；SLC NAND在韓系大廠減產下自谷底翻揚，但缺乏殺手級應用、漲勢溫和；NOR Flash受AIoT與工控帶動，低功耗、高可靠需求明顯增長，價格持續上揚。力積電觀察，第三季投片意願已轉強，第四季投片量與代工價格將走高，供需緊俏可望延續至明年上半年。

除HBM外，力積電也點名High Bandwidth Flash（HBF）憑藉3D NAND成本優勢，適用於TeraByte級大型模型伺服器，值得密切關注。

產品與客戶佈局方面，48奈米NOR Flash客戶估年底起逐步放量；邏輯代工聚焦電源管理IC（PMIC）與功率元件（MOS、IGBT、GaN），鎖定AI伺服器與車用兩大高門檻市場，對應板級／機櫃級供電升級與車電長壽命、寬溫域規格需求。相對之下，IT與消費性電子及手機需求仍保守；大中華「雙11」熱度不若往年，汽車市場總量持平但結構劇烈重組，陸系品牌擴張、歐美日車廠市佔下滑，供應鏈正加速洗牌。

力積電第三季營收118.4億元，季增5％，主因記憶體出貨量增加；第三季毛利率-7％，較第二季毛利率-9％改善，主因跌價損失回沖；第三季稅後淨損27.3億元，單季每股虧損0.65元。