SK海力士領先全球 AI超高效能記憶體HBM4開發完成

HBM透過垂直堆疊多層DRAM，大幅提升資料處理速度。此次推出的第六代 HBM4，相較前一代HBM3E，帶寬提升一倍、能效提升逾40%，成爲AI伺服器與資料中心的全新解決方案。

HBM4採用 2,048條I/O資料傳輸通道，可實現每秒10Gb以上的運行速度，遠超國際半導體標準組織 JEDEC 規範的 8Gbps，並預估在導入客戶系統後，AI服務效能最高可進一步提升 69%。

SK海力士指出，HBM4的開發與量產採用經市場驗證的 MR-MUF（批量回流模製底部填充） 專利技術，與第五代 1b級（10奈米級）DRAM製程結合，大幅降低量產風險並強化晶片堆疊的翹曲控制力（Warpage Control），確保產品穩定度與散熱效能。

面對AI運算需求與資料流量的急速增加，資料中心的耗電與營運成本持續攀升。HBM4不僅是「突破AI基礎設施極限的標誌性轉折點」，更是「解決AI時代技術挑戰的核心產品」，將爲全球AI資料中心提供最高品質、最高效能的記憶體解決方案。