盛美上海：對用於先進芯片製造的Ultra C wb溼法清洗設備重大升級

7月25日，盛美上海宣佈對其Ultra C wb溼法清洗設備進行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進節點製造工藝的苛刻技術要求。

據悉，升級後的Ultra C wb採用了專利申請中的氮氣（N2）鼓泡技術，有效解決了溼法刻蝕均勻性差和副產物二次沉積問題。在先進節點製造工藝中，這些問題常見於高深寬比溝槽和通孔結構的傳統磷酸溼法清洗工藝。氮氣鼓泡技術不但提升了磷酸傳輸效率，而且提高了溼法刻蝕槽內溫度、濃度和流速的均勻性。溼法刻蝕過程中質量傳遞效率的提高可防止副產物在晶圓微結構內積聚，從而避免二次沉積。這項技術在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D邏輯器件中有巨大的應用前景。

盛美上海總經理王堅表示，性能提升始終是首要的追求，通過專利申請中的集成氮氣鼓泡技術，盛美提升了Ultra C wb設備的工藝性能。批式處理工藝始終是溼法加工領域的關鍵環節，與單晶圓溼法清洗相比，其在成本效益、生產效率及化學品消耗方面具有顯著優勢。

具體而言，升級後的Ultra C wb設備具有以下全新特性與優勢：1.提升蝕刻均勻性。相較於傳統的槽式溼法清洗設備，Ultra C wb平臺配備了氮氣鼓泡技術，將晶圓內以及晶圓間的溼法刻蝕均勻性提高了50%以上。

2.提高顆粒去除性能。在先進節點工藝中，Ultra C wb平臺的卓越清洗能力已被證明能夠高效去除特殊磷酸添加劑的有機殘留物。

3.擴展工藝能力。升級後的清洗臺模塊已通過三道先進節點工藝驗證，包括：疊層氮化硅蝕刻、溝道孔多晶硅蝕刻以及柵極線鎢蝕刻，可搭配多種化學藥液使用，如磷酸、H4刻蝕液（一種常用於金屬薄膜蝕刻的混合酸溶液）、四甲基氫氧化銨（TMAH）、標準清洗液1（SC1 ）以及硅鍺（SiGe）刻蝕液等。此外，更多道工藝及應用方案正在客戶工廠進行開發。

4.自主知識產權設計。專利申請中的氮氣鼓泡設計可生成均勻分佈的大尺寸氣泡，且氣泡密度精準可控。該專利申請的氮氣鼓泡核心技術可以應用在盛美上海的Ultra C Tahoe（單片槽式組合清洗設備）平臺上，更好地解決客戶未來的工藝需求。

盛美上海是一家爲半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的供應商。公司產品覆蓋了前道半導體工藝設備，包括清洗設備、半導體電鍍設備、立式爐管系列設備、塗膠顯影Track設備、等離子體增強化學氣相沉積PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）設備、無應力拋光設備；以及後道先進封裝工藝設備、硅材料襯底製造工藝設備等。

在6月17日披露的調研紀要中，公司高管表示，公司的PECVD、Track及爐管設備等產品線均在持續推進研發創新，加強顛覆性技術創新。公司訂單第三季度已排滿，第四季度也即將排滿。公司也將持續拓展海外市場。

財報方面，受益於全球半導體行業復甦，盛美上海2024年實現營業收入56.18億元，同比增長44.48%；歸母淨利潤11.53億元，同比增長26.65%；今年一季度，公司實現營業收入13.06億元，同比增長41.73%；歸母淨利潤2.46億元，同比增長207.21%。

此前，公司披露了2025年的經營業績預測顯示，綜合近年來的業務發展趨勢，以及目前的訂單等多方面情況，預計2025年全年的營業收入將在65億元至71億元之間。