南科態金材料結合成大推碳化矽新品 搶佔半導體商機

新開發碳化矽晶圓。圖／態金材料科技提供

南科態金材料科技研發成功應用碳化矽及氮化鋁(AlN)陶瓷基板專利技術，與成大半導體學院洽談合作政府計劃案，後天10日受邀在臺北國際半導體展說明展示。態金材料科技研發長陳冠維指出，相關技術已成熟、月產30萬片以上碳化矽晶圓沒問題。

輝達新一代Rubin處理器傳出矽中介層材料將由矽轉換成碳化矽，激勵臺灣半導體相關碳化矽產業鏈升溫。陳冠維指出，新進程已將碳化矽晶圓及氮化鋁陶瓷基板減薄至100微米以下，且可同時進行微鑽孔與微溝槽加工，解決傳統高成本、低產能問題，爲國內SiC產業點燃了一線曙光。

陳冠維表示，全球功率半導體市場因價格產能出現前所未有激烈廝殺，各大廠都陷入生存轉型困境。傳統碳化矽切割技術，晶圓減薄及化學機械研磨耗時，態金將藉獨家開發的「雷射輔助微粒子珠擊」專利製程解決，與成大、合作廠商開發新設備。

目前碳化矽多隻能製造6吋、8吋碳化矽晶圓，減薄至100微米以下須數10小時長時間處理，態金卻能在數分鐘內就減薄至100微米甚至更薄、同時進行微鑽孔與微溝槽加工，成爲電動車、再生能源、伺服器與高速運算領域關鍵材料，這些優勢也將成爲臺灣廠商和中國競爭者差異化重點。

陳冠維說，相關技術突破不僅克服傳統雷射出現的裂紋、熱影響區、熔渣噴濺、塞孔等加工瓶頸，機械研磨或化學蝕刻高成本、低產能問題，更能減少次表層損傷，而且能應用至IC封裝製程中介層、再分佈層，甚至有取代ABF載板潛力，大幅提升高效能IC熱設計功耗與溫控能力，矽光子共封裝及高功率運算(HPC)晶片而言，是重大突破。

新開發碳化矽晶圓。圖／態金材料科技提供

氮化鋁(AlN)陶瓷基板使用新技術減薄。圖／態金材料科技提供