美國恐撤銷VEU授權…在陸記憶體韓廠 產能受挑戰

法人分析，首波受影響者包括三星位於西安的NAND晶圓廠，及SK海力士在無錫和連雲港的DRAM與NAND產線。

據悉，三星西安廠佔其總NAND產能達40～50％；SK海力士中國大陸的工廠，則分別佔其DRAM與NAND產能約40％與25％。

雖然出口限制措施的具體內容與實施時程尚未明朗，三星與SK海力士在中國大陸的晶圓廠，目前均處於技術節點升級階段，其中SK海力士無錫廠正推進1a奈米制程，三星西安廠則遷移至V8／V9世代。

若VEU授權遭撤銷，恐導致韓廠升級計劃中斷，並引發技術外流或營運延宕風險。

不過，業界認爲，地緣政治風險對韓系業者而言並非新挑戰，近年已透過在韓國本土新建晶圓廠（如三星平澤廠、SK海力士M15X廠及龍仁廠），逐步分散中國大陸生產比重，降低依賴風險。

在中國晶圓廠短期面臨不確定性下，韓國業者也可能加速自美進口設備，趕在政策收緊前完成既定升級計劃。

反觀中國本土記憶體業者如長鑫存儲，若美系設備出口持續受限，恐進一步拉大與國際業者在DDR5與先進DRAM產品的技術差距。

產業分析師指出，儘管三星在中國大陸仍有NAND產能配置，但其先進製程（200層以上）產線主要位於韓國，具備產能轉移與提升稼動率的彈性。

SK海力士亦已將部分EUV製程回遷至韓國，並強調未來成長動能來自高階產品與營運效率，非單純追求位元出貨成長，已進行相關因應措施。