美光HBM熱銷 臺記憶體廠吃香

記憶體大廠美光看好AI應用驅動高效能運算，高頻寬記憶體（HBM）年度產能全數售罄，將大舉擴增HBM與先進封裝產能，預期2025年DRAM及NAND位元需求量將呈雙位數成長。法人解讀對臺股記憶體族羣正向，預料臺系記憶體制造廠商南亞科（2408）、華邦電（2344）可望受惠DRAM基本面翻揚。圖／美聯社

美光法說摘要

記憶體大廠美光看好AI應用驅動高效能運算，高頻寬記憶體（HBM）年度產能全數售罄，將大舉擴增HBM與先進封裝產能，預期2025年DRAM及NAND位元需求量將呈雙位數成長。法人解讀對臺股記憶體族羣正向，預料臺系記憶體制造廠商南亞科（2408）、華邦電（2344）可望受惠DRAM基本面翻揚。

美光第三季財報數字，營收、毛利率、每股稅後純益（EPS）皆超出財測高標，主要得益HBM營收貢獻季增50％。

美光經營層於法說會重申HBM業績成長、DDR4停產（EOL）後價格改善、下季（6～8月）訂單量、價皆將成長。

美光第三季DRAM產品營收71億美元，佔整體營收76％，季增15％。其中，HBM營收季增近50％，DRAM出貨量亦成長超過20％。NAND Flash營收則爲22億美元，佔比23％，季增16％。

美光積極擴充產能，HBM3E已出貨多家資料中心與AI平臺客戶，並開始量產HBM3E 12Hi，具備更高容量與更低功耗，良率與出貨量穩步提升。

HBM4亦已送樣客戶，預計2026年量產。新加坡HBM封裝廠已經於今年初動工，2027年起將大幅貢獻產能。臺灣與馬來西亞既有廠區同步升級，增加先進封測產量。

此外，美光於美國本土化生產策略持續推進。愛達荷與紐約兩座廠預計2027年投產，並且爭取晶片法案（CHIPS）補助與投資抵稅。另在維吉尼亞州打造DRAM生產線，服務汽車、國防等領域，美光目標實現40％DRAM美國製造。

製程方面，美光以1α爲主力，並已用1β生產 HBM3E，計劃於2025年量產導入EUV的1γ製程，性能、功耗與密度全面提升，並適用於HBM、LPDDR5與DDR5。首批1γ LPDDR5已送樣給2026年旗艦手機平臺。

NAND方面，美光預估2025年減產超過10％，並將部分設備轉作先進節點，以控制供給。美光估計，2025年DRAM與NAND位元需求年增率分別達17～19％與11～13％。

整體而言，美光預期，AI持續驅動高階記憶體需求，HBM訂單在2025年已全數售罄，全年營收可望創新高。