美國撤銷臺積電南京廠豁免！南韓晶片業重傷 影響一次看

美國政府近日宣佈撤銷三星電子、SK海力士以及臺積電在中國大陸工廠使用美國技術的特別豁免，未來相關企業必須逐案申請許可才能進行。此舉雖然對臺積電的衝擊有限，但對南韓半導體業卻是重大打擊。（圖／本報資料照片）

美國政府近日宣佈撤銷三星電子、SK海力士以及臺積電在中國大陸工廠使用美國技術的特別豁免，未來相關企業必須逐案申請許可才能進行。此舉雖然對臺積電的衝擊有限，但對南韓半導體業卻是重大打擊。

此次措施並非僅針對先進製程，連成熟技術也被納入限制範圍。過去，部分企業可依「經驗證最終用戶」（VEU）制度，直接進口、維修與升級半導體設備；如今該管道被撤銷，意味着廠商要面臨更繁瑣、也更不容易通過的許可流程，恐拖慢中國工廠的運作效率。

從產能結構來看，南韓記憶體大廠的依賴程度遠高於臺積電。SK海力士在中國的DRAM產能佔全球約35%至40%，NAND更高達40%至45%；三星電子則有約30%至35%的NAND產能設於中國。相較之下，臺積電在南京廠的邏輯晶片產能僅佔全球一小部分，因此衝擊幅度相對輕微。

綜合外媒報導，政策短期內不至於讓工廠立刻停擺，但由於設備維修和零件替換勢必延誤，良率下降的風險將逐步浮現，進而可能加深全球記憶體市場的供應緊縮。對美國設備供應商而言，如科林研發（KLA）、應用材料（Applied Materials）、科磊（Lam Research），需求減少恐帶來負面影響；然而，競爭對手受限之下，美光（Micron Technology）則有望趁勢獲益。

而針對此事，經濟部2日就美國取消臺積電南京廠「經驗證終端用戶」（VEU）資格提出五點說明。首先，經濟部指出，美方撤銷後，臺積電南京廠若要進口美國設備，未來將必須逐案申請許可，等於從原本的「綠色通道」回到逐一審批的模式。此舉勢必對南京廠未來營運的可預期性帶來影響。

其次，臺積電已對外表示，確實收到美國政府通知，南京廠的VEU授權將自2025年12月31日起失效。臺積電強調，將持續與美方溝通，並確保南京廠營運不受中斷。

第三，經濟部強調，除了臺積電之外，BIS上週也同時取消三星及SK海力士在中國的VEU資格，顯示此政策並非針對臺積電或個別廠商。考量臺美供應鏈緊密，未來國內業者仍須加強出口管制的法規遵循，才能維護自身權益。

第四，從產能分佈來看，三星約有兩成DRAM產能設於中國，SK海力士則高達四成。相較之下，臺積電在中國大陸僅有南京廠涉及BIS管制的16奈米產能，佔整體僅約3%，且比例仍在下降，對臺積電整體營運及臺灣半導體競爭力影響有限。

最後，經濟部重申，將持續與美國政府及我國半導體業者保持密切溝通，隨時掌握最新情況，並提供必要協助，以確保產業穩健發展。