《半導體》臺積電遭美撤南京廠採購豁免 法人：影響有限

臺積電已接獲美國政府通知南京廠的「驗證後最終用途」（VEU）授權將於2025年12月31日撤銷。臺積電正在評估情況，並且採取適當的因應措施，將與美國政府溝通。

經濟部對此表示，美國政府取消對臺積電南京廠的「經驗證終端用戶」(VEU) 資格，代表未來該廠進口美國設備，需單獨申請許可，意味着南京廠取得美國產業安全局（BIS)的許可，將從「綠色通道」模式（亦即授權允許取得美國管制貨品，無需逐批申請），迴歸到須「逐案審批」的模式，此一發展將會對該廠未來營運的可預期性造成影響。

由於美方上週也宣佈取消兩家韓國公司VEU，包括三星及海力士，經濟部認爲，美方措施應不是針對臺積電或特定廠商，由於臺美半導體供應鏈關係極爲密切，且美方持續加強半導體管制措施，國內業者應持續強化出口管制法遵作爲，以保障權益。

經濟部表示，三星DRAM產能約有兩成在中國、海力士中國產能約佔四成，而臺積電目前於中國僅有南京廠涉及美國BIS管制項目（16 奈米），佔臺積電整體產能僅約3%、且未來可能持續降低，且佔整體臺灣半導體生產比例更低，評估不影響臺灣整體產業競爭力。

法人指出，美國撤銷永久豁免許可，未來還是可以透過申請而放行，只是需要每年遞件，且豁免許可主要針對的是購買先進製程設備以及擴產兩個部分，臺積電南京廠一直是以成熟製程爲主，最先進僅16奈米，且本就沒有擴產計劃。

法人進一步說明，臺積電南京廠最大月產能爲25000片晶圓，大約是臺積電產能的1.8%，考慮其製程，推估營收佔比約接近1%。因此，法人認爲，假使南京廠停擺，影響的是對中國客戶的供應，整體臺積電營運受影響有限。