華爲AI晶片恐斷炊！關鍵材料快耗盡 研調揭瓶頸內幕

華爲力拚晶片發展自主。（圖／路透社）

大陸加速發展本土AI晶片，除了受到中芯國際等晶圓代工廠產能限制外，缺乏高頻寬記憶體（HBM）技術成爲一大考驗。半導體研究機構《SemiAnalysis》最新報告指出，雖然大陸企業近年大舉囤貨，但到今年底進口的HBM庫存將逐步「耗盡」，導致華爲等廠商明年可能無法生產百萬片以上的AI晶片。

目前，大陸對HBM的依賴程度極高，尤其在美國嚴格出口管制之前，華爲與其他廠商積極掃貨，庫存來自三星等外國供應商。報告指出，三星一度向大陸出口約1140萬個HBM，佔大陸現有存量的主要比例。

然而，隨着國際限制加強，經由「灰色管道」流入大陸的數量已大幅減少，難以彌補需求缺口。統計顯示，大陸總計採購約1300萬個HBM，足以支持160萬個升騰910C晶片，但在當前消耗速度下，供應緊繃問題將在年底浮現。

大陸原本有能力每年生產超過80萬片升騰910C，但由於HBM供應不足，實際產能無法完全釋放。換言之，記憶體正是限制大陸AI晶片擴張的關鍵因素。

報告分析，如果大陸缺乏足夠HBM，再多的晶片設計與代工努力也難以發揮效益，反觀輝達、超微等西方企業則能憑藉完整供應鏈保持領先。

至於本土替代方案，大陸雖積極推動長鑫存儲等企業投入HBM開發，但進展仍受限，主因在於，將標準DRAM轉向HBM技術，需要高度專業化的設備與技術積累，而目前長鑫在工具取得與良率提升方面均面臨障礙。但如果長鑫能持續獲得關鍵設備並改善製程，最快可能在2026年量產性能大幅提升的HBM3e，屆時大陸或能部分突破困境。

但大陸對於晶片業發展仍野心勃勃，實力不容小覷，包括北京市政府已提出明確計劃，力拚在2027年前達成半導體設計與製造的完全自給；上海市政府則設定目標，要在2027年讓數據中心，特別是AI應用所需晶片的「自主控制率」超過七成。