關鍵性突破！ 華爲先進AI晶片製造良率傳翻倍

華爲AI晶片製造良率傳有新突破。（圖／路透社）

華爲晶片技術傳出新突破，消息指出，華爲生產的最先進AI晶片的良率，已由一年前的20％提高到接近40％，是支持先進晶片自主的一項關鍵性突破，爲大陸建立AI產業運算基礎設施又邁進一步。

香港經濟日報報導，華爲已推出最新的升騰910C（Ascend 910C）晶片，效率優於原先的910B晶片。升勝晶片的製造「良率」提升至接近40％，也意味着升騰生產線已首次能夠賺錢；華爲的目標是將良率提高到60％，達到與業界生產同級晶片的標準。

Creative Strategies顧問公司分析師將華爲的進展，與臺積電生產輝達（Nvidia） H100 AI晶片達到60％良率相提並論；依據此一基礎，華爲40％的良率將能夠商業化。

華爲是與中芯合作生產升騰晶片，中芯目前採用N＋2製程，能夠不用極紫外光（EUV）技術生產先進晶片。消息人士指出，華爲計劃今年生產10萬片910C晶片，及30萬片910B晶片；2024年華爲生產20萬片910B晶片，而910C晶片尚未量產。