成都嶼西半導體申請緊湊型高功率高效率GaN功放芯片專利，顯著縮小芯片尺寸

金融界2025年5月24日消息，國家知識產權局信息顯示，成都嶼西半導體科技有限公司申請一項名爲“一種緊湊型高功率高效率GaN功放芯片”的專利，公開號CN120034134A，申請日期爲2025年04月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種緊湊型高功率高效率GaN功放芯片，屬於射頻及微波集成電路技術領域。採用兩級級聯放大結構，包括輸入端、輸入匹配網絡、第一級放大網絡、級間匹配網絡、第二級放大網絡、輸出匹配網絡、輸出端及偏置與穩定電路。級間匹配網絡集成功分、柵極偏置饋電、穩定性設計及級間阻抗匹配功能，輸出匹配網絡集成功率合成、漏極偏置饋電及輸出阻抗匹配功能，第二級放大網絡採用多個GaN管芯並聯。通過功能集成減少獨立元件與佈線空間，顯著縮小芯片尺寸；優化信號放大鏈路與能量傳輸路徑，提升寬頻帶內輸出功率與效率；結合穩定電路與對稱佈局設計，增強芯片在寬工作頻段內的穩定性與可靠性，滿足通信系統對高集成度、高性能功率放大器的需求。

天眼查資料顯示，成都嶼西半導體科技有限公司，成立於2016年，位於成都市，是一家以從事科技推廣和應用服務業爲主的企業。企業註冊資本2742.3169萬人民幣。通過天眼查大數據分析，成都嶼西半導體科技有限公司參與招投標項目1次，專利信息8條，此外企業還擁有行政許可1個。

本文源自：金融界

作者：情報員