《半導體》智原攜聯電發表FlashKit-22RRAM 強化AI邊緣裝置效能

FlashKit-22RRAM整合完整的RRAM控制子系統，支援DWORD存取，提供與SST架構嵌入式快閃記憶體相當的效能，同時大幅減少額外光罩需求，特別適用於AIoT、智慧家庭、穿戴式及攜帶型等消費性應用。平臺已完成開發並經流片驗證，可協助客戶順利導入聯電22ULP製程並加速量產。

此平臺亦內建ARM Cortex-M7與VeeR EH1 RISC-V嵌入式處理器，並整合USB 3.0 Type-C、GMAC、PLL等多項關鍵IP。內建的RRAM控制器與內建自我測試（BIST）電路，確保資料存取效率與量產品質。此外，平臺搭載嵌入式FPGA（eFPGA）模組，強化設計彈性，支援晶片導入後的邏輯修改、ECO調整或GPIO重新配置等需求。

智原營運長林世欽表示：「FlashKit-22RRAM展現我們持續提供優化平臺的承諾，協助客戶減輕開發負擔、加速產品上市。我們的客戶可透過這個高度整合且具成本效益的解決方案，快速推出差異化的eNVM產品，同時保有未來擴展的彈性。」